Vplyv leptania na kovových Microstructures

Proces nanášania tenkých kovových filmov je dôležitou súčasťou polovodičov a magnetických polí priemyslu . Dva hlavné typy spracovania zahŕňajú rast kovových filmov a leptanie kovových fólií . Rast sa týka ukladania kovového materiálu spôsobom , ako je odparovanie alebo naprašovaním . Leptanie je opačný proces a zahŕňa odstránenie selektívne materiálu pôsobením na určité chemické látky , alebo tým , že bombarduje materiálu s ionizovaných molekúl plynu . Leptanie

Leptanie je selektívne odstraňovanie materiálu . Existujú dva hlavné spôsoby, ako na etch materiál . Chemické leptanie je často používaný selektívne odstrániť určitý materiál , pričom ďalšie oblasti vzorky neporušený . Príkladom je použitie kyseliny fluorovodíkovej pre selektívne odstránenie oxidu kremičitého . Druhý spôsob , ako etch je umiestniť vzorku do vákuovej komory , a potom zaviesť plyn , ako je argón . Argón je potom ionizuje sadou elektród a zrýchlené proti vzorke . Ióny bombardovať vzorky a odstránenie materiálu . Pretože všetky časti vzorky sú bombardovaní , to nie je selektívne leptanie , a všetky povrchy vystavené bude mať materiál bol odstránený .
Zníženie Metal Hrúbka

Vystavenie akékoľvek kovové vzorka na etch zníži hrúbku vzorky sa pri meraní . To je často žiaduci výsledok etch . S cieľom odstrániť určité množstvo materiálu , kovu musí byť vystavené na etch za stanovenú dobu , napríklad , jedna minúta . Hrúbka potom je potrebné merať , aby si mieru etch , ako je 10 nanometrov za sekundu .
Film drsnosti

Hoci cieľ sa etch je znížiť hrúbku kovu , to zvyčajne prichádza v cene . Kovové fólie drsnosť môže byť veľmi dôležité množstvo a je zvyčajne meraná pomocou zariadenia zvaného mikroskopu atomárnych síl . Všeobecne platí , že čím dlhšie materiál leptané , väčšia drsnosť kovový film stáva .
Zrnitosť

kovovej fólie sa skladajú z mnohých miliónov malých zŕn , ktoré sú zvyčajne v veľkosť rozmedzí 5 až 100 nanometrov . Ako kovové fólie sú leptané , priemerná veľkosť zrnitosti môže byť znížená , ale to je veľmi závislý na type etch , času etch a etch silu , ak je ion leptanie .